この製品のマニュアルセットは、偏向のない言語を使用するように配慮されています。このマニュアルセットでの偏向のない言語とは、年齢、障害、性別、人種的アイデンティティ、民族的アイデンティティ、性的指向、社会経済的地位、およびインターセクショナリティに基づく差別を意味しない言語として定義されています。製品ソフトウェアのユーザーインターフェイスにハードコードされている言語、RFP のドキュメントに基づいて使用されている言語、または参照されているサードパーティ製品で使用されている言語によりドキュメントに例外が存在する場合があります。シスコのインクルーシブランゲージに対する取り組みの詳細は、こちらをご覧ください。
このドキュメントは、米国シスコ発行ドキュメントの参考和訳です。リンク情報につきましては、日本語版掲載時点で、英語版にアップデートがあり、リンク先のページが移動/変更されている場合がありますことをご了承ください。あくまでも参考和訳となりますので、正式な内容については米国サイトのドキュメントを参照ください。
各 UCS B200 M1 ブレード サーバ(N20-B6620-1)には、現場で交換またはアップグレード可能なユニットがいくつか搭載されています。たとえば、次のものは交換またはアップグレードが可能です。
ブレード サーバの内部で作業する前に、ブレード サーバをシャーシから取り外す必要があります。この項の内容は次のとおりです。
• 「Cisco UCS B200 M1 ブレード サーバの取り外し」
• 「Cisco UCS B200 M1 ブレード サーバの取り付け」
シャーシからブレード サーバを取り外すには、次の手順に従います。
ステップ 2 ブレードのイジェクト レバーを引いてブレード サーバの固定を解除し、シャーシからブレードを取り外します。
ステップ 3 ブレードをシャーシから途中まで引き出し、もう一方の手で下からブレードの重量を支えます。
ステップ 4 取り外したブレードをすぐに別のスロットに取り付け直さない場合は、静電気防止用マットまたは静電気防止用フォームの上にブレードを置きます。
ステップ 5 スロットを空のままにする場合は、シャーシに埃が入らないようにブランクの前面プレート(N20-CBLKB1)を取り付けます。
ステップ 1 ブレード サーバの前の方を持ち、もう一方の手で下からブレードを支えます。図 3-1 を参照してください。
ステップ 2 ブレード サーバの前面にあるイジェクト レバーを開きます。
ステップ 3 開口部にブレードを差し込んでゆっくりと奥まで押し込みます。
ステップ 4 イジェクト レバーを押してシャーシの端に固定し、ブレード サーバを完全に押し込みます。
ステップ 5 ブレードの前面にある非脱落型ネジを 0.339 N-m(3 インチポンド)以下のトルクで締めます。指だけで直接締めれば、非脱落型ネジが外れたり、損傷したりする可能性は低くなります。
図 3-1 に、シャーシ内でのブレード サーバの位置を示します。ブレード サーバはシャーシの上側 8 スロットに装着します。
ステップ 1 図 3-2 に示すようにボタンを押し、そのまま押し続けます。
ステップ 2 カバーのバック エンドをつかんでカバーを引き上げ、後方に引きます。
次の図は、ブレード サーバ内の各種コンポーネントを示します。
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ここでは、ブレード サーバ内での次の作業の実行方法について説明します。
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ステップ 1 ヒート シンクをマザーボードに固定している 4 本の非脱落型ネジを緩めます。図 3-4 のコールアウト 1 を参照してください。
ステップ 2 ヒート シンク(N20-BHTS1)を取り外します。図 3-4 のコールアウト 2 を参照してください。
ステップ 3 ソケット ラッチの留め金を外します。図 3-4 のコールアウト 3 を参照してください。
ステップ 4 ソケット ラッチを開きます。図 3-4 のコールアウト 4 を参照してください。
ステップ 5 CPU またはソケット保護カバーを取り外します。図 3-4 のコールアウト 5 を参照してください。
図 3-4 ヒート シンクの取り外しと CPU ソケットへのアクセス
ステップ 1 CPU を基盤上のピンにノッチを合わせて配置します。図 3-5 のコールアウト 1 を参照してください。
ステップ 4 必要に応じて、ヒート シンクの底面から伝熱化合物の保護フィルムをはがします。
ステップ 5 ヒート シンク(N20-BHTS1)を設置します。図 3-5 のコールアウト 5 を参照してください。
ステップ 6 4 本の非脱落型ネジを締めて、ヒート シンクをマザーボードに固定します。
ネットワーク アダプタとインターフェイス カードは、すべて同じインストール手順に従います。次のオプションを使用できます。
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メザニン カードを異なるタイプのものに交換する場合は、実際に交換を行う前に、必ず最新のデバイス ドライバをダウンロードし、それらをサーバのオペレーティング システムにロードしてください。詳細については、該当する UCS Manager ソフトウェア コンフィギュレーション ガイドのファームウェア管理の章を参照してください。
メザニン カードをブレード サーバに取り付けるには、次の手順に従います。
ステップ 1 メザニン ボードをコネクタがマザーボードのコネクタの上にくるように配置し、メザニンの 3 本の非脱落型ネジをマザーボード上の支柱の位置に合わせます。
ステップ 2 メザニンのコネクタをマザーボードのコネクタにしっかりと押し込みます。
フル幅のブレード サーバに DIMM を取り付けるには、次の手順に従います。
ステップ 1 両側の DIMM コネクタ ラッチを開きます。
ステップ 2 カチッという音がするまで、両端が均等になるようにして DIMM をスロットに押し込みます。
ステップ 3 DIMM コネクタ ラッチを内側に少し押して、ラッチを完全にかけます。
ここでは、ブレード サーバに必要なメモリのタイプと、パフォーマンスに対するその影響について説明します。この項の内容は次のとおりです。
• 「メモリ配列」
次の表に、このブレード サーバ用にシスコシステムズから購入できる DIMM のタイプを示します。
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ブレード サーバには DIMM 取り付け用のスロットが、CPU ごとに 6 個ずつ、計 12 スロットあります。6 個の DIMM スロットのセットはそれぞれ 2 つのバンクに配列されており、各バンクには 3 つのチャネルがあります(図 3-8 を参照)。
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各チャネルは英字(一方の CPU では A、B、C、もう一方の CPU では D、E、F)で識別されます。各バンクは数字(1 または 2)で識別されます。たとえば、DIMM スロット A1、B1、C1 はバンク 1 に属し、A2、B2、C2 はバンク 2 に属します。バンク 1 の各スロットは青で、バンク 2 内の各スロットは黒です。
図 3-9 に、バンクとチャネルがブレード サーバ上で物理的にどのようにレイアウトされているかを示します。右上の DIMM スロットは右の CPU に関連し、左下の DIMM スロットは左の CPU に関連します。
(注) どちらか一方の CPU が取り付けられていない場合、右上のメモリと左下のメモリは通信できません。
図 3-10 に、バンクとチャネルの論理図を示します。
ブレード サーバでの DIMM の構成は、チャネルあたり 1 つの DIMM 構成(1DPC)とチャネルあたり 2 つの DIMM 構成(2DPC)があります。
Cisco UCS B200 M1 ブレード サーバ内の各 CPU では、2 つのメモリ バンクと 3 つのチャネルがサポートされます。1 DPC 構成では、DIMM はバンク 1 だけに存在します。2 DPC 構成では、DIMM はバンク 1 とバンク 2 の両方に存在します。
ブレード サーバのメモリ構成を検討する際、いくつかの考慮事項があります。次のその例を示します。
• ブレード サーバ内の DIMM はすべて同じタイプにする必要があります。これは速度とサイズの両方に当てはまります。サイズまたはクロック レートの異なる DIMM を同じブレード サーバ内に混在させないでください。混在させると、パフォーマンスが大幅に低下します。
• CPU の選択によっては、パフォーマンスに影響を及ぼす場合があります。
• DIMM は、チャネルあたり 1 つの DIMM 構成またはチャネルあたり 2 つの DIMM 構成で動作します。これらのメモリ配列によってメモリの動作が異なる場合があります。
CPU が E5550 以上の場合は、次のメモリ構成を使用したときに帯域幅が最大になります。
• DDR3、3 つのチャネルにわたる転送速度 1333 MT/s(100 万回/秒)
• チャネルあたり 1 つの DIMM(6 個の DIMM)
• 最大容量 48 GB(8 GB DIMM を使用した場合)
CPU が E5520 以上の場合は、次のメモリ構成を使用したときに総合的なパフォーマンスが最良になります。
• DDR3、3 つのチャネルにわたる転送速度 1066 MT/s
• チャネルあたり 2 つの DIMM(12 個の DIMM)
• 最大容量 96 GB(8 GB DIMM を使用した場合)
メモリ速度は、各バンクへの DIMM の装着状態によって影響を受けます。バンクへの DIMM の装着状態によるパフォーマンスの違いは次のとおりです。
• 1 つのバンク内の全スロットに DIMM を装着した場合(6 個の同一 DIMM)
– DDR3-1333 の場合、1333 MT/s で動作します。
– DDR3-1066 の場合、1066 MT/s で動作します。
• 両方のバンク内の全スロットに DIMM を装着した場合(12 個の同一 DIMM)
次のメモリ構成を使用した場合、パフォーマンスの低下が起こる可能性があります。
• バンク内にサイズおよび密度の異なる DIMM を混在させた場合
ブレード サーバ内の Nehalem-EP CPU は、DIMM を装着したチャネルの数が 2 つ以下の場合にだけメモリのミラーリングをサポートします。3 つのチャネルに DIMM を装着した場合、メモリのミラーリングは自動的にディセーブルになります。また、メモリのミラーリングを使用した場合、信頼性の理由で DRAM サイズが 50% 減少します。
Reliability, Availability, and Serviceability(RAS)オプションは、チャネル 3 にメモリが装着されていない場合にだけ使用できます。